
虽然发光二极管(LED)和光电二极管(Photodiode)都属于半导体光电器件,但它们在物理机制、电气特性及工程实现方面各有侧重。本篇文章将从技术角度深入分析两者的异同,并提供实际应用建议。
LED的发光效率高度依赖于半导体材料的直接带隙特性。例如,GaN(氮化镓)用于蓝光/白光LED,GaAs(砷化镓)用于红外LED。而光电二极管同样需要高灵敏度材料,如硅(Si)适用于可见光和近红外,InGaAs则用于长波红外检测。
LED工作时需正向偏置,通常施加2–3.5V电压以驱动发光。若反向电压过高,可能导致击穿损坏。
光电二极管多采用反向偏置,以扩大耗尽区,提升响应速度和线性度。在无光照时,仅有微小暗电流;有光照射时,产生与光强成正比的光电流。
在实际项目中选择器件时应注意以下几点:
近年来,两者结合催生了诸多创新应用:
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